图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IPx65R660CFD |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 650V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 6A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4.5V @ 200µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 22nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 615pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 62.5W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 700 V |
| 最大连续漏极电流 | 6 A |
| RDS -于 | 660@10V mOhm |
| 最大门源电压 | 20 V |
| 典型导通延迟时间 | 9 ns |
| 典型上升时间 | 8 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 典型下降时间 | 10 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| P（ TOT ） | 63W |
| 匹配代码 | IPP65R660CFD |
| R（ THJC ） | 2.0K/W |
| LogicLevel | NO |
| 单位包 | 50 |
| 标准的提前期 | 16 weeks |
| 最小起订量 | 500 |
| Q（克） | 22nC |
| LLRDS （上） | n.s.Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | n.s.V |
| 我（D ） | 6A |
| V（ DS ） | 650V |
| 技术 | CoolM. CFD |
| 的RDS（on ） at10V | 0.66Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4.5V @ 200µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 650V |
| 供应商设备封装 | TO-220-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 660 mOhm @ 2.1A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 62.5W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 615pF @ 100V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 22nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流 | 6 A |
| 系列 | IPP65R660 |
| RDS（ON） | 660 mOhms |
| 功率耗散 | 63 W |
| 商品名 | CoolMOS |
| 栅极电荷Qg | 22 nC |
| 零件号别名 | IPP65R660CFDXKSA1 SP000745026 |
| 上升时间 | 8 ns |
| 漏源击穿电压 | 650 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 10 ns |
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